TSS是电压开关型瞬态抑制二极管，也就是通常说的涌抑制晶体管，或者叫做导体放电管，固体放电管等等。半导体器件领军行业全业电子研发及生产多种规格型号的半导体放电管，主要用于信号电路的防雷保护。

  下面全业电子为大家讲解一下选用半导体放电管应该注意哪些问题，以免大家选型不恰当带来麻烦。

  选用半导体放电管应注意以下几点：

1、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的zui大工作电压。如在POTS应用中，zui大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，zui大DC电压(150V)和zui大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。

2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的zui大瞬间峰值电压。

3、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。

4、zui大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A；Bellcore 1089的IPP应大于25A。

5、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。

  以上内容就是全业电子研发部为大家介绍的关于选用半导体放电管的相关注意事项，欢迎大家留言讨论，关注全业，每天可以获取新的保护器件科普知识哦！